报告题目：二维反铁磁拓扑绝缘体中的量子几何特性
报告人：高安远 副教授
报告人单位：上海交通大学
主持人：袁翔 教授
地点：光学大楼A508会议室
时间：2024年12月30日（周一）上午11:00
报告摘要：
在量子世界中，量子几何定义了两个量子态之间的相位和幅值的差值。其中，量子态的相位差由我们熟知的Berry curvature所描述，而量子态的振幅差则由quantum metric所描述。通过对Berry curvature的研究，成功的解释了反常霍尔效应和拓扑量子现象等。那么quantum metric是否也可以产生有趣的量子现象呢？基于此问题，近几年quantum metric象也逐渐受到了科研界的关注。二维材料的出现，更是为我们探测和调控量子几何效应提供了新的途径。本次报告，我将以二维反铁磁拓扑绝缘体MnBi2Te4为例，讲述2个二维层状材料中的量子几何效应引起的有趣量子现象。
1. Layer Hall effect：层分布的Berry curvature引起的反常霍尔效应；
2. Quantum metric nonlinear Hall effect：Quantum metric引起的非线性霍尔效应。
参考文献：
Anyuan Gao, et al. Nature 595 521-525 (2021)
Anyuan Gao, et al. Science 381, 181-186 (2023)
Anyuan Gao, et al. Nat. Electron.7, 751-759 (2024)
报告人简介：
高安远，上海交通大学李政道研究所副教授。2019年毕业于南京大学，2020-2024年于哈佛大学从事博士后研究。2023年入选国家高层次人才计划、上海HW高层次人才计划、浦江人才计划。2024年加入上海交通大学李政道研究所。主要研究方向包括新奇量子器件的设计和制作、使用输运和光学手段研究二维材料中的量子现象。目前已发表学术论文30余篇，引用3000余次，其中有第一/共一作者论文发表在Nature、 Science、Nat. Nanotech.、Nat. Electron.、Sci. Adv.、Adv. Mater. 等期刊上。