报告题目：离子型忆阻材料与存储/突触器件
报告人：王中强（教授）
主持人: 吴幸 教授
报告时间：2021年11月12日（14:00-16:00）
报告地点：信息楼133会议室
报告摘要：
忆阻器因其功耗低、密度高等优势，在信息存储、类脑模拟、存算一体等领域有着广泛应用。离子型忆阻材料是一类基础性忆阻材料，其中离子动力学过程（迁移、扩散）的随机性是限制器件可靠性和功能化的主要问题。围绕上述问题，报告将介绍本研究组在高性能忆阻器研制方面的研究思路与方案：引入界面电场促进导电通道局域化，准确模拟Bienenstock-Cooper-Munro (BCM) 学习规则等多种类脑学习功能；构筑人工/天然微纳孔道促进导电通道有序化，实现7.5 fJ超低能耗;设计光电协同调控忆阻材料，研制光/电、光/光调制的忆阻突触器件；同时，简单介绍忆阻器在逻辑运算、图像识别等初步应用探究。
报告人简介：
王中强，教授，东北师范大学物理学院，吉林省青年拔尖人才。2013年博士毕业于东北师范大学，2014年至2016年在意大利米兰理工大学进行博士后研究。作为第一/通讯作者在Nat. Commun.、Adv. Funct. Mater.等期刊发表论文50余篇，作为主要完成人获2019年国家自然科学奖二等奖(5/5)；主持面上项目等多项国家自然科学基金。