报告题目：超薄栅介质材料的可靠性研究
报告人：白金亮（教授）
主持人: 吴幸（教授）
报告时间：2021年11月3日（16:00-17:00）
报告地点：腾讯会议ID777988039
报告摘要：
面向后摩尔时代先进器件，如鳍式场效应晶体管（FinFET）、新兴的非易失性存储器（RRAM）和二维材料的可靠性研究，应用先进的纳米分析技术，如原位透射电子显微镜(TEM)、导电原子力显微镜(CAFM)，对半导体纳米器件的超薄栅介材料进行深入研究和表征至关重要。尤其是本报告将介绍基于高介电常数的电介质和六方氮化硼(h-BN)的击穿和恢复转换过程的纳米尺度研究。h-BN作为石墨烯基二维纳米电子器件的合适电介质，已引起研究CMOS电介质科研者的广泛兴趣。本报告的研究工作将主要使用导电原子力显微镜，重点讨论在纳米尺度不同电应力下h-BN的介电击穿机制。本报告还将介绍用于超低功率阻变存储器的h-BN受控缺陷生成的研究案例。在CAFM局部电应力作用下，h-BN电介质退化的纳米尺度随机电报噪声的发现，为二维材料系统的逐步退化和击穿过程的研究提供了新的见解。报告最后将讨论基础器件的可靠性和寿命预测机制。
报告人简介：
白金亮博士目前任新加坡科技与设计大学(SUTD)的副校长和SUTD医疗工程学院首席教授。他在2010年建立了SUTD，并于当年被新加坡教育部任命现任职务。新加坡国立大学获得工程学士学位（1989年）和电气工程博士学位（1994年）。此前，他曾任新加坡-麻省理工联盟学院研究员，并曾在微电子研究所、新加坡特许半导体制造公司、安捷伦科技和新加坡国立大学担任研究职位。在担任SUTD 现任职务之前，他是南洋理工大学EEE学院微电子学部主任、南洋纳米制造中心主任和微电子中心主任。白教授是IEEE高级会员、东盟工程技术学院院士和新加坡工程师学会院士。他曾担任IEEE集成电路物理失效分析大会IEEE IPFA2001、IPFA2004联合主席。IEEE Transactions on Devices in and Materials Reliability客座编辑，IEEE Transactions on Devices and Materials Reliability期刊的编辑，新加坡IEEE REL/CPMT/ED的分会主席。
他在国际会议上发表了超过209篇的国际权威出论文、223篇技术论文（包括 6篇主题报告和68次邀请报告）和7个专业书籍章节，拥有40项美国专利。白教授在CMOS栅极的介电可靠性研究方面，特别是在超薄介电击穿机制的物理分析领域做出了杰出贡献。他于2018年被IEEE国际集成可靠性研讨会(IIRW)评为前端设备可靠性的前20名专家之一(http://www.iirw.org/ref/reliabilityexperts.html)，并作为2019年“内存技术与可靠性”可靠性专家论坛(REF)的小组成员。他已培养了35名博士毕业生和多于15名硕士毕业生。
在他开创性努力下，SUTD的本科课程在麻省理工学院关于全球工程教育最先进水平的基准研究中被评为“工程教育的顶级新兴领导者”。