报告题目：高导电石墨烯/铜复合材料制备技术
报告人：于庆凯 研究员
报告人单位：中科院上海微系统与信息技术研究所
主持人：袁清红 研究员
地点：光学大楼A508会议室
时间：2025年3月6日（周四）上午10:00
报告摘要：
石墨烯作为增强体制备石墨烯/铜复合材料有望实现超高电导率，实现石墨烯在铜基体中的均匀分散是制备石墨烯/铜复合材料的关键技术之一。报告将阐述本团队在石墨烯/铜复合材料制备方面的相关进展：1）基于气相沉积技术引入异质过渡金属原子，通过界面调控增强石墨烯/铜薄膜导电性；2）提出高温重熔化学气相沉积技术，利用铜液滴球化同步生长石墨烯，连续制备粒径可控的球形石墨烯/铜粉体；3）发展鼓泡化学气相沉积技术，熔融铜裂解甲烷制取/分散石墨烯，宏量制备石墨烯/铜块体。研究团队面向多类型铜基体（薄膜、粉体、块体）复合需求，发展多种气相沉积技术，突破石墨烯在铜基体中均匀分散难题，实现高导电石墨烯/铜复合材料制备。
报告人简介：
于庆凯，中科院上海微系统与信息技术研究所研究员，上海石墨烯产业化技术平台首席科学家，上海市HW高层次人才获得者。主要研究方向为基础二维材料合成，包括基于化学气相沉积（CVD）技术的催化金属/合金表面单层和多层石墨烯制备、基于鼓泡化学气相沉积（Bubbling CVD, B-CVD）技术的低维碳材料及二维六方氮化硼粉体连续制备等。于庆凯教授至今在Nature Mater., Nature Nanotech., Nature Commun., Adv. Mater., 等国际重要期刊发表SCI论文60余篇，论文他引超过5000次，拥有美国授权发明专利2项，受邀请国际会议主题报告和邀请报告30余次。