高密度3D闪存可靠性测试与优化

报告题目：高密度3D闪存可靠性测试与优化

报告人：李乔 副教授（厦门大学 信息学院）

主持人：石亮 教授

报告时间：2023年9月25日（星期一）10:00-11:30

报告地点：普陀校区理科楼B613室

报告摘要：

       近两年，三星、美光等国外公司和国内长江存储相继推出200层3D闪存芯片。然而，制程工艺的缺陷导致闪存质量参差不齐，基于3D闪存芯片的固态硬盘在可靠性方面正面临着巨大挑战，分析闪存可靠性问题产生的原因并挖掘可靠性特性是加速SSD大规模应用的关键前提。针对影响NAND闪存可靠性的关键因素，包括保存时间、open-block等问题，进行了测试与分析，展示3D NAND闪存区别于传统2D闪存的新可靠性特性，并提出了新的可靠性指标。基于闪存介质的硬件特性，尤其是最新高密度3D闪存的数据出错特征，设计了基于错误发生机制和可靠性特征的纠错码设计和数据布局算法，极大提高闪存存储可靠性。

报告人简介：

       李乔，厦门大学信息学院副教授，研究方向为计算机体系结构与存储系统，研究成果在国际会议和期刊上发表了50余篇论文，其中包括CCF推荐A类论文25篇，涵盖计算机体系结构与存储系统顶级会议MICRO、FAST、HPCA和DAC，权威期刊IEEE TC、ACM TOS和TCAD等。以第一作者或通讯作者身份，在存储领域重要会议中获得ACM HotStorage 2021最佳论文奖、IEEE NVMSA 2023最佳论文奖、IEEE ASP-DAC 2017最佳论文提名奖、以及2019年“阿里云-中国计算机学会存储委员会”优秀论文奖。目前主持的项目有国家自然科学基金青年项目、厦门市自然科学基金青年项目以及存储相关横向项目。