讲座题目：高速、低功耗相变存储器及其产业化
主讲人：宋志棠 研究员
主持人：段纯刚 教授
开始时间：2019年12月6日 15：00
讲座地址：闵行校区信息楼147报告厅
报告人简介：
宋志棠，男，1964年生，信息功能材料国家重点实验室主任，国家超级973首席科学家。1997.11西安交通大学获工学博士，1999.11 中科院上海微系统所博士后出站后留所工作，2001.1作为高级访问学者在香港理工大学应用物理系从事合作研究；2002年以教授的身份与香港理工大学应用物理系进行合作研究。现任上海市存储器纳米制造技术重点实验室主任、信息功能材料国家重点实验室主任。国家超级973、国家重要项目、国家集成电路重大专项项目的首席科学家；上海市领军人才、国务院特殊津贴。国内PCRAM材料与器件研究的开创者，搭建12英寸PCM专用平台（1.6亿），具备Gb级开发能力，研制出我国第一款PCM芯片，其1500万颗嵌入式芯片在国际首次应用，创立相变八面体基元理论，自主ScSbTe、TiSbTe材料与双沟道二极管等用于芯片。作为国家首席科学家承担国家4个973、3个02专项等重大项目，在Sciences、Naturecomm等期刊发表511篇论文，数量国际第一，他引4517次；国内授权发明专利284项，数量国内第一。“电子级二氧化硅纳米抛光新材料及工业化制备关键技术”2016年获上海市技术发明奖一等奖（排名第1），2017年因PCRAM研究工作获得2017年上海科技精英提名。“相变存储芯片制造核心技术及嵌入式应用”2018年获 上海市科学技术发明奖二等奖。 PCRAM项目获2018工博会创新银奖。
报告内容简介：
集成电路芯片属半导体材料与器件学科领域，是我国高新技术产业发展“1号”工程。目前，支撑我国信息产业和信息安全的集成电路芯片90%依靠进口，尤其是占集成电路芯片市场34.5%的存储器，进口额超过4500亿，对我国信息产业发展与信息安全带来巨大的风险。发展自主的新型存储技术显得刻不容缓。相变存储器（PCRAM）与新型CMOS工艺兼容，是高密度、可三维集成的新型海量存储技术，比传统的动态随机存储器（DRAM）容量大，价格低，比三维闪存（3D NAND）速度与寿命快1000倍，是未来实现存算一体化、人工智能、大数据、生命健康的核心芯片。中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠研究员团队在国家重点研发计划、02专项等国家重大项目的支持下，搭建了12英寸PCRAM专用平台（价值1.6亿元），经过17年的努力，创立了八面体原子基元与面心立方亚稳态理论，研发出世界上速度最快的Sc-Sb-Te相变材料，写速度达到了700ps，研究成果发表在«Science»。打通1024道相变存储器高密度集成工艺，攻克了对功耗、速度起决定作用的3纳米加热电极制备技术，研制出128M嵌入式相变存储芯片，实现全球首款嵌入式相变存储芯片的量产，芯片综合性能指标达到国际先进水平。成果获得2019年中国材料研究学会科学技术一等奖（排名第一）、中国新材料产业发展大会“新材料成果转化奖”、第20届中国国际工业博览会创新银奖、2018年上海市技术发明二等奖、第五届“纳米之星”创新创业团队组一等奖和技术领先奖。