来源:精密光谱科学与技术国家重点实验室

二维超大单晶的外延生长

来源:精密光谱科学与技术国家重点实验室发布时间:2020-10-11浏览次数:183

  目:二维超大单晶的外延生长

报告人:丁  峰 教授

主持人:袁清红 研究员

  间:20201013日下午1:30

  点:腾讯会议 ID257 670 088

报告人简介:

丁峰,韩国蔚山科技学院杰出教授,韩国基础科学院多维碳材料研究中心理论组组长。分别在199319962002年在华中科技大学,复旦大学和南京大学的物理专业获得本科,硕士和博士学位。后在瑞典哥德堡大学,美国莱斯大学从事碳材料的理论研究。2009年加入香港理工大学,2017年加入韩国蔚山科技学院任杰出教授并受聘于韩国基础科学院多维碳材料研究中心任理论组组长。长期从事各种碳材料,二维材料生长机制,性质的研究以及计算材料方法的开发,在NatureScience等杂志上发表文章200余篇。

 报告内容简介:

制备各种二维材料英寸级超大单晶是实现二维材料在电子器件领域大规模应用的重要前提。目前对于有没有可能制备二维材料英寸级超大单晶还存在争议,如何实现这一目标也还处于探索阶段。本报告将从理论研究和实验研究两个方面介绍这一领域的进展,内容包括(i)二维材料跟衬底的相互作用,(ii) 二维材料晶粒在衬底上的取向,(iii) 二维材料和衬底的对称性对其外延生长的影响,(iv) 实现大量二维材料晶粒在衬底上一致排列的必要条件,(v) 实验上英寸级石墨烯,六方氮化硼单晶的制备以及(vi) 将来实现各种二维材料英寸级超大单晶制备的可能与展望。